MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，其工作原理按導電溝道可分爲P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分爲；耗盡型；當柵極電壓爲零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對於N（P）溝道器件，柵極電壓大於（小於）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。
其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率mos管相同，但 結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都採用垂直導電結構，又稱爲VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
